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[发明专利]一种纯化利拉鲁肽氧化杂质的方法-CN202211712248.1在审
发明人：周奕;王宜龙 -专利权人：江苏诺泰澳赛诺生物制药股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C07K14/605 文献下载
摘要：本发明是一种纯化利拉鲁肽氧化杂质的方法，该方法将利拉鲁肽溶解于水中，用氨水调节pH值，加入氧化剂高氯酸反应生成利拉鲁肽氧化杂质；以十八烷基硅烷键合硅胶填料为固定相，以硫酸为流动相A，以乙腈为流动相B，进行一次HPLC纯化，去除利拉鲁肽氧化杂质中的利拉鲁肽；除去溶剂，得到利拉鲁肽氧化杂质样品溶液；冻干。本发明用利拉鲁肽为原料，加入氧化剂高氯酸反应生成利拉鲁肽氧化杂质；然后再用一次HPLC纯化，去除利拉鲁肽氧化杂质中的利拉鲁肽本发明方法可以大大去除利拉鲁肽氧化杂质大部份的杂质及片段杂质；收集的样品纯度达95％，有效地提高了该利拉鲁肽氧化杂质成品纯度和收率。
一种纯化利拉鲁肽氧化杂质方法

[发明专利]降低高压互连影响的器件结构及制造方法-CN202010354969.4有效
发明人：周锌;师锐鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高压互连影响的器件结构及制造方法，包括非高压互连区和高压互连区：非高压互连区包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、场氧化层、栅氧化层，高压互连区结构包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、场氧化层、淀积氧化层；本发明通过在常规的制造工艺中额外增加淀积氧化层和光刻工艺，提高了高压互连线到器件表面的氧化层厚度，且不影响非高压互连区的氧化层厚度。
降低高压互连影响器件结构制造方法

[发明专利]一种测定氧化铁中杂质元素含量的ICP方法-CN202110610506.4在审
发明人：彩倩杰;高艳芳;刘丽丽;师苏城;张文轩;李瑞琛;赵美贺 -专利权人：郑州天一萃取科技有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种测定氧化铁中杂质元素含量的ICP方法，属于仪器分析测试技术领域，解决了现有技术中无法实现对氧化铁含量99.99％以上的高纯氧化铁中杂质元素含量的测定；只能测定钠、铝、磷、硫、硅、硼、铬、铜、镍、钛、钙、镁、锰、钾十四种元素，对氧化铁中常见的重要杂质元素锌和铅无法实现测定；杂质元素特征ICP吸收峰存在相互干扰，对测量结果造成干扰的问题。本发明的测定氧化铁中杂质元素含量的ICP方法，氧化铁中氧化铁含量为98.5％以上，具体步骤包括：将杂质元素进行分组；分组配置杂质元素的标准溶液，所述标准溶液中不添加氧化铁基质。实现了对于纯度高于99.9％的氧化铁样品中杂质元素含量的测定。
一种测定氧化铁杂质元素含量 icp 方法

[发明专利]盐酸鲁拉西酮氧化杂质的一种制备方法-CN201610189522.X在审
发明人：侯艳玲;赵国磊 -专利权人：北京万全德众医药生物技术有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C07D417/12 文献下载
摘要：盐酸鲁拉西酮，是日本住友制药公司开发的新型抗精神病药物，其氧化杂质的研究可以定性、定量的分析药品中杂质的水平，为病人的安全用药提供了有力的保证。本发明提供了一种工艺稳定的盐酸鲁拉西酮氧化杂质的制备方法盐酸鲁拉西酮为原料，经氧化剂氧化后纯化得到氧化杂质Ⅰ与氧化杂质Ⅱ。该方法不仅操作简单，而且具有产品收率高、纯度高的特点。
盐酸鲁拉西酮氧化杂质一种制备方法

[发明专利]一种N-氧化-达泊西汀的制备方法-CN201610112621.8在审
发明人：张运辉;李发万;沈文晖;马小平;郑雪;杨继斌;蔡中文 -专利权人：重庆康乐制药有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C07C291/04 文献下载
摘要：本发明公开一种N-氧化-达泊西汀（以下简称达泊西汀氮氧化杂质）的制备方法；达泊西汀氮氧化杂质是制备工艺过程中达泊西汀的叔胺基团被氧化的杂质，是达泊西汀原料药的主要杂质之一；达泊西汀氮氧化杂质可用于分析检测达泊西汀原料药
一种氧化达泊西汀制备方法

[发明专利]一种阿法替尼氧化杂质的制备方法-CN201910535909.X在审
发明人：赵绪亮;和翠红 -专利权人：鲁南制药集团股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C07D405/12 文献下载
摘要：本发明属于药物合成技术领域，具体涉及一种阿法替尼氧化杂质的制备方法。本发明提供的阿法替尼氧化杂质的制备方法包括：以阿法替尼为原料在氧化剂的作用下，控温反应得到阿法替尼氧化杂质。本发明提供的合成方法路线短，操作简单，所得阿法替尼氧化杂质收率高，纯度高，该杂质化合物可作为阿法替尼成品检测标准中的杂质对照品。
一种阿法替尼氧化杂质制备方法

[发明专利]通过氯化氢的催化氧化制备氯气的方法-CN201210103886.3有效
发明人：丁建生;罗务习;陈斌;张坤鹏;华卫琦 -专利权人：烟台万华聚氨酯股份有限公司;宁波万华聚氨酯有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C01B7/04 文献下载
摘要：通过氯化氢的催化氧化制备氯气的工艺，其特征在于，在含有杂质的氯化氢气流中引入一种氧化剂例如臭氧或双氧水等，在超声波的作用下对该气流进行氧化预处理，以使HCl气流中的杂质被氧化，该氧化剂不会导致在反应体系中产生新的杂质氧化预处理后的氯化氢气流首先经过分离器，分离除去液相和/或固相氧化产物以获得纯化HCl气流，然后纯化HCl气流与含有分子氧的气流充分混合后预热至反应条件，发生催化氧化反应制备氯气。通过氧化预处理和分离，该方法能有效除去氯化氢气流中的含硫的杂质、含卤素的杂质、烃杂质等等，并且不产生额外的杂质。同时，该发明还具有操作简单、方便的优点。
通过氯化氢催化氧化制备氯气方法

[发明专利]SOI基片及其制造方法-CN96123934.4无效
发明人：金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-12-30 - 公布日： 1997-10-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅器件层均匀的SOI基片及其制造方法，该SOI基片包括，硅支承晶片，在支承晶片上部形成的掺杂杂质的氧化膜，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、具有均匀厚度的硅器件层，在所述掺杂杂质的氧化膜上部形成的、防止掺杂杂质的氧化膜内的杂质扩散的扩散阻挡膜。
soi 及其制造方法

[发明专利]一种卡非佐米氧化物杂质的制备方法-CN202111627135.7在审
发明人：顾巍;邵志强;赵纪山 -专利权人：南京格亚医药科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C07K7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种卡非佐米氧化物杂质的制备方法，其特征在于：卡非佐米经间氯过氧苯甲酸氧化得到式Ⅱ化合物卡非佐米氧化物杂质。该方法得到的氧化物杂质纯度较高，可以满足结构鉴定，杂质谱研究，方法学验证的要求。
一种卡非佐米氧化物杂质制备方法

[发明专利]一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺-CN202110302723.7有效
发明人：邹臻峰;李明;赵增超;任鹏;石书清;柳一峰;黄心沿 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，包括以下步骤：低浓度氧化；高浓度杂质源扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；高浓度杂质源升温扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；升温推进；升温氧化，对杂质源进行快速增强氧化，直至硅片表面杂质源总量与PN结深所需的杂质源总量相同。
一种低压扩散匹配激光 se 工艺

[发明专利]沟槽式快恢复二极管及其制备方法-CN201410790149.4有效
发明人：林茂;戚丽娜;张景超;钱锴;刘利峰;赵善麒;王晓宝 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P⁺型杂质层相连，沟槽外注入区具有依次相连的N型杂质电荷积累层、沟槽外P型杂质层和沟槽外P⁺杂质层，N型杂质电荷积累层不超出沟槽氧化层的底部；场氧化层有源区窗口外的终端区内具有终端P型杂质层，场氧化层的上部具有终端多晶硅场板层，金属阳极层与终端多晶硅场板层、沟槽氧化层、沟槽氧化层内的沟槽多晶硅以及沟槽外P⁺杂质层连接。
沟槽恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种检测锆基非晶合金内氧化物杂质的方法-CN202211415729.6在审
发明人：高宽;陈建新;王玮 -专利权人：东莞市逸昊金属材料科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测锆基非晶合金内氧化物杂质的方法，包括获取锆基非晶合金内氧化物杂质以及对所述氧化物杂质进行分析检测，通过以下方法获取锆基非晶合金内氧化物杂质：将所述锆基非晶合金浸于电解液中进行电解，使发生电解的合金本体离子化溶于电解液中，从而与不发生电解的氧化物杂质分离。本发明的目的是提供一种准确检测锆基非晶合金内氧化物杂质的方法，旨在解决现有技术中对锆基非晶合金的测试无法获取准确氧化物杂质的含量、分布形态、分布特征的数据的技术问题。
一种检测锆基非晶合金氧化物杂质方法

[发明专利]一种阿奇霉素氧化杂质的合成方法-CN201910292187.X在审
发明人：邹兵;郭文胜;刘大鹏;秦志平 -专利权人：武汉长联来福制药股份有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C07H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阿奇霉素氧化杂质的合成方法，属于化学制药技术领域，它是以阿奇霉素为原料，在一定溶剂、温度和时间条件下，通过一定量氧化剂氧化后生成目标产物，经过纯化制备得到阿奇霉素氧化杂质。合成的高纯度阿奇霉素氧化杂质作为成品检测的杂质标准品，有利于成品中该杂质的定量和定性，提高对阿奇霉素原料药的质量控制。
阿奇霉素氧化杂质合成定量和定性杂质标准品氧化剂成品检测化学制药目标产物时间条件高纯度原料药质量控制溶剂制备

[发明专利]一种同时检测福多司坦氧化杂质和异构体杂质的方法及其应用-CN202310003702.4在审
发明人：叶慧;柴秋烨;徐梦露;陈瑞哲;王羽嫣;宋霄霄;李乐薇;胡育钰;沈锡明;李玉杰 -专利权人：杭州百诚医药科技股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时检测福多司坦氧化杂质和异构体杂质的方法及其应用，该检测方法创造性地将用于分离异构体杂质的柱前衍生化反应用于分离氧化杂质，并结合特定的高效液相色谱梯度洗脱方式和洗脱条件，实现了在传统C18柱上，同时、有效分离检测氧化杂质YF1、氧化杂质YF2、氧化杂质F和异构体杂质Isomer的技术效果；而且，该检测方法灵敏度高，各杂质校正因子在0.2～5之间，受辅料和有机溶剂影响小，广泛适用于福多司坦原料药、固体制剂、半固体制剂或液体制剂中杂质的检测，从而提高对于福多司坦原料药及其制剂的全面质量控制。
一种同时检测福多司坦氧化杂质异构体方法及其应用

[发明专利]一种去除硅片金属杂质的方法-CN201410059982.1在审
发明人：江润峰;曹威 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：一种去除硅片金属杂质的方法，包括以下步骤：1）对硅片表面进行氧化处理，使硅表面在300-400℃下氧化生成二氧化硅，杂质金属离子被固定在所生成的二氧化硅层中；2）用DHF对所述二氧化硅进行去除，以一同去除所生成的二氧化硅层中的金属杂质；3）用SC1SC2清洗，去除残留的二氧化硅。本发明利用低温等离子体氧化工艺，使硅片在低温下被等离子体氧化为二氧化硅，有效地阻止了金属杂质的深层扩散，可以彻底的清除硅片表面和浅层的金属杂质，效率高，成本低。
一种去除硅片金属杂质方法

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